Các nhà sản xuất Ram với mục tiêu phát triển DDR5 đạt tốc độ trên 10000 MHz

Sẽ còn phải đợi thêm 1 khoảng thời gian khá lâu nữa thì tiêu chuẩn Ram DDR5 mới có thể được áp dụng rộng rãi, nhưng hiện tại có khá nhiều nhà sản xuất đã rất nỗ lực trong việc nghiên cứu và phát triển chuẩn mới này. Micron, Samsung, Team Group và SK Hynix là những công ty nổi tiếng đang phát triển các mô đun bộ nhớ DDR5, ngoài ra còn có thêm nhân tố mới là Netac cũng đang tham gia cuộc đua này. Và thậm chí nhà sản xuất tới từ Trung Quốc này còn có kế hoạch phát triển các mô đun có tốc độ lên hơn 10.000 MHz.

Tiêu chuẩn bộ nhớ DDR5 do JEDEC (Hiệp hội Công nghệ thể rắn) phát hành thiết lập tốc độ xung nhịp trong khoảng từ 4.800MHz đến 6.400MHz, còn SK Hynix và Samsung thì tự tin sẽ tiến xa hơn thế với 7.200MHz của Samsung, còn SK Hynix tuyên bố sẽ đạt tốc độ cao tới 8.400MHz.

Mới đây thì hãng Netac thông báo đã nhận được lô chip nhớ DDR5 DRAM đầu tiên tới từ Micron, và đang lên kế hoạch đẩy tốc độ bộ nhớ DDR5 lên cao hơn nữa, vượt mức 10.000MHz.

Các chip Micron mà Netac nhận được có mã IFA45 Z9ZSB FBGA, theo Micron thì đây là các mẫu kỹ thuật với ký hiệu P/N (Part Number) là MT60B2G8HB-48B ES: A, có dung lượng 16 GB (2Gx8) và Ram timing là 40-40-40.

Xét đến việc Micron không đặt mục tiêu chip của họ vượt trên 6.400 MHz, thì có vẻ Netac sẽ có nhiều việc cần phải giải quyết và xử lý để đạt được mục đích, đầu tiên là sẽ cần phải tăng điện áp (VDD/VDDQ/VPP) lên cao hơn đáng kể, và nới lỏng Ram Timing để bộ nhớ đạt xung nhịp trên 10.000MHz.

Tuy nhiên, so với DDR4 thì việc thực hiện điều này hoàn toàn là khả thi. Tốc độ tiêu chuẩn JEDEC của DDR4 được đặt ở 2.133MHz, nhưng các nhà sản xuất đã phát triển và ra mắt bộ nhớ cao hơn gấp đôi, thậm chí các chuyên gia ép xung chuyên nghiệp còn vượt qua mốc 7.000MHz. Hãy cùng chờ xem.

Nguồn: tổng hợp

Techzones / Leo666